自华为等中企在通讯、半导体这些“根”技能方面反超西方后，为稳固其“科技灯塔”的方位，老美铁了心要从底层方面封闭我国科技，而芯片也成了老美遏止中企开展的技能壁垒。

　　芯片的出产要经过三个环节，规划、制作和封测。规划方面，华为海思半导体在安卓阵营的才能乃至盖过了高通。封测方面，我国现已做到了国际第三。唯一制作技能一向处于全球“跟随者”的方位，而制作环节约束咱们的便是用于制作芯片的要害设备光刻机。

　　俗话说得好“工欲善其事，必先利其器”，当国人开端操心国产芯片的时分，一些科技企业及科研机构早就将要点放在了霸占光刻机。比方中科院第一时间就宣告将光刻机列入科研清单，并集全院力气霸占光刻机难题，尝到剔骨之痛的华为更是亲身下场攻坚芯片制作问题，现在，国内芯片职业可谓是好消息不断！

　　据报道，国内首台超分辨率光刻机现已过检验并投入使用，这种光刻机由中科院光电技能研究所研发，选用外表等离子超衍射光刻，经过波长较短的等离子体，在涂改光刻胶的晶圆上进行光刻，单次曝光即可到达22nm、屡次曝光可制作出10nm芯片。

　　与ASML的EUV光刻机比较，尽管还有许多需求完善的当地，比方无法制作非常杂乱的图形，无法大规模量产，不过至少能满意特别职业对先进工艺的需求，一同为后续的量产、制作杂乱图形供给技能根底。

　　从半导体设备的视点来看，国产超分辨率光刻机选用的是更先进的道路，该道路和美国Zyvex公司的电子束光刻机是一个方向，据悉这家企业的光刻机现已打破0.7nm芯片的制作难题，首要应用于量子芯片范畴。

　　ASML曾表明，下一代High-NA EUV光刻机或许是传统光刻机的“止境”。电子束光刻机或许成为连续EUV光刻机的要害设备，特别当我国已在光子芯片、量子芯片等下一代半导体范畴打开布局，国产超分辨率光刻机至少可认为我国“换道超车”供给设备根底。

　　芯片制作任重而道远，ASML也是开展几十年才有现在的商场方位，咱们想要在半导体范畴追逐距离，不能只聚集于芯片制作环节，特别当ASML光刻机精度、摩尔定律开展放缓，封装技能现已成为未来芯片开展的要害。

　　在封装范畴，我国有很高的话语权，比方上海微电子的封测光刻机，在国内商场占有了80%左右的比例，全球商场比例也在40%左右，还有很多的技能专利支撑，而长电科技（JECT）更是成了全球封装商场营收排名第三的我国企业。

　　近期，长电科技宣告现已完成4nm工艺手机芯片的封装，这种技能能够将CPU、GPU、射频芯片集成到一同，该方法叫多维异构封装，不同于传统的芯片堆叠技能，这种封装形式能够经过导入中阶级及多维结合，完成更高密度的芯片封装，该技能现已到达了国际先进水平。