据中国科学院上海微体系所官方微信，近来上海微体系所魏星研究员团队在300mm SOI晶圆制作技能方面获得打破性开展，制备出了国内榜首片300mm 射频(RF)SOI晶圆。

　　团队根据集成电路资料全国重点实验室300mm SOI研制渠道，顺次处理了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜堆积、非触摸式平整化等许多核心技能难题，完成了国内300mm SOI制作技能从无到有的重大打破。300mm RF-SOI晶圆的自主制备将有力推进国内RF-SOI芯片规划、代工以及封装等全产业链的协同加快速度进行开展，并为国内SOI晶圆的供给安全供给坚实的保证。

　　SOI可运用的元件规模非常广泛，例如通讯射频前端的RF-SOI使用、高功率Power-SOI元件、光通讯Photonics-SOI技能等。绝缘体上硅片(silicon-on-insulator，SOI) 技能是一种在硅资料与硅集成电路巨大成功的基础上呈现、有其共同优势、能打破硅资料与硅集成电路约束的新技能。