在摩尔定律推动下，生产所带来的成本不断下降，也带来了技术革新。为了更好的提高产品的生产效率和利润，晶圆尺寸的扩大和芯片线宽的减小是集成电路行业技术进步的两条主线。

　　通常来讲，半导体行业每十年升级 fab 架构来增加晶圆直径，而同时工艺制程则是保持在每两年一个节点的速度。随着纳米尺度逼近物理极限，工艺节点的技术进步已经放缓，晶圆尺寸的增加慢慢的变重要。

　　1991 年业界开始投产 200mm 晶圆，2001 年左右起步向 300mm 晶圆过渡，依次类推，ITRS ( 国际半导体技术发展路线图 ) 和摩尔定律都认为，2010 年之后逐渐开始迈向 450mm(18 英寸)晶圆。

　　彼时，英特尔、三星和台积电等行业巨头都表示了肯定态度，为 2012 年过渡到 450mm 而做着准备，与制造设备、材料厂商开展协商以便供应设备和材料，同时进行有关标准化方面的工作。他们设想向 450mm 过渡就像以往向 300mm 过渡一样，能增加向用户更好的提供的价值，生产率翻番。

　　200mm 晶圆到 300mm 的迁移，曾经让单位晶体管成本突破摩尔定律，产生了跃变。这也很好理解，越大的晶圆就能够切割出更多的 Die，从而大幅度的降低单晶体管的价格。据统计，每次提升晶圆尺寸，产出 Die 的数量至少提高一倍。

　　然而，一切理想中的优势和规划终究未能落地。有数据表明，当前一代晶圆变成主流，支持了大约 40% 的总产能时(从而能够维持健康的产能组合，成本足以支持不同的应用)，新一代晶圆就会开始。

　　然而，目前世界上芯片的产能超过 70% 是 12 英寸晶圆，第一条 12 英寸 Fab 线迄今已近二十年，我们却尚未看到下一代 18 英寸晶圆厂的出现。

　　2007 年，ISMI(国际半导体技术制造协会)强调，在摩尔定律的指引下，未来生产所带来的成本需要降低 30%，产品生产周期需要改善 50%，而这种需求只有过渡到 450mm 晶圆尺寸才能做到。

　　在业界的一致推崇和引导下，2008 年英特尔宣布与三星、台积电达成合作协议，将在 2012 年投产 450mm 芯片晶圆，预计会首先用于切割 22nm 工艺处理器。

　　英特尔相信，从 300mm 晶圆到 450mm 的迁移将使每个晶圆的芯片数量增加一倍以上。英特尔、三星和台积电计划与整个半导体产业合作，确保所有必需的部件、基础设施、生产能力都能在 2012 年完成开发和测试，并投入试验性生产。

　　这个蓝图被写入到 2009 和 2010 年的 ITRS ( 半导体协会技术发展路线 年的 ITRS 被重新修改，原定计划目标全部推迟 2 年。根据 2012 年 ITRS 规划，450mm 晶圆尺寸生产材料及设备制造商，应当在 2013-2014 年形成生产能力，并提供相应设备给 IDM 和 Foundry。

　　在 2011 年 Semicon West 会议上，过去一直对 450mm 规格转换没什么好感的半导体设备厂商，在各方的劝说下，也已经慢慢转变了对其的态度，并做出了一些有实质性意义的转变动作。比如应用材料公司表示将在 450mm 项目上的投资将超过 1 亿美元规模;量检具厂商 KLA Tencor 便推出了其可适用于 450mm 晶圆的检验用工具 Surfscan SP3;450mm 晶圆制造用光刻设备的兼容性的问题也有望得到暂时的解决，光刻厂商会推出一些临时的解决方案以应对光刻机与 450mm 规格晶圆兼容的问题。

　　也是在这一年，新上任的纽约州州长 Andrew Cuomo 力主搞个大政绩，邀请芯片五强 ( IBM、英特尔、格芯、台积电和三星 ) 在纽约州研发下一代芯片技术，大家表态投资 44 亿美金推进 450mm，这就是全球 450 联盟 ( G450C ) ，并于美国纽约州 Albany 设立了 450mm 晶圆技术研发中心。

　　450mm 联盟成立后，18 英寸晶圆世代的技术和机台设备有不少方针已开始确立，是半导体产业迈入 18 英寸晶圆世代的重要里程碑。这个联盟的关键基础是纽约州立大学理工学院的实力和 IBM 微电子大本营多年在该州的耕耘，还有纽约州承诺的政府补贴。期间，Cuomo 还拉着尼康共同出资 3.5 亿美元搞 450mm 浸入式光刻机。

　　实际上，除了 G450C 联盟之外，欧盟在更早时候搞过一个 EEMI450 的合作计划，以色列也搞过一个 Metro450，共计三个联盟来推动 450mm 晶圆的进展，目标是可互用研究结果，减少重复性的实验。

　　除此之外，半导体制造技术战略联盟(SEMATECH)和国际半导体行业协会(SEMI)等也在推动全球产业链的合作研发，期望晶圆直径的增大牵动整个产业链带来的改变。

　　然而所有的计划都没有使 450mm 晶圆成功。自 2014 年开始 G450C 联盟出现暂缓研发 450mm 晶圆的迹象。

　　英特尔其实是最积极地推进 450mm 的公司。但事不凑巧，G450C 期间(2011-2016)刚好是英特尔搞 14nm Broadwell 的时间，被用到极限的 DUV 光刻机和复杂的 FinFET 使得英特尔当时良率非常低，路线图各种延误，没有心思再去关注 450mm 晶圆。

　　英特尔在 2014 年的撤退被认为是 450mm 晶圆消亡的一个关键时刻。

　　而无心硬件的 IBM 把半导体部卖给了格芯，但格芯并只有少数的钱去搞 450mm 这么大的工程，最后白白损失了一大笔之前的投入。

　　针对这样的一种情况，SEMI 和 ISMI(美国国际半导体技术制造协会 ) 于 2014 年设立了一个 EPWG 设备生产率工作组，对过渡 450mm 晶圆问题进行了研究，得出的明确结论是 此非其时 。

　　在 2014 年英特尔退出两年后，台积电也悄悄退出了 G450C 联盟。

　　多年以后，在回顾台积电放弃 450mm 晶圆的原因时，前台积电首席运营官蒋尚义在接受媒体采访时说道： 当年，英特尔是推动转向 450mm 晶圆的主要推动者，因为它认为这是获得市场优势的另一种方式。18 英寸会将业内小玩家挤出市场，巩固巨头地位。

　　台积电之所以不推广 450mm 晶圆技术，原因是台积电在 300mm 晶圆上已成功击败了许多较小的竞争对手，建立了一马当先的优势。但如果到 450mm，就会直接与英特尔和三星展开竞争。

　　英特尔和三星都拥有比台积电更多的工程师，并且还有更多的收入可通过，这将有利于两家公司在 450mm 生产上的投资比台积电要多。所以，进军 450mm 根本不会帮助台积电，反而会占用台积电太多的研发人员，削弱其在其他领域追求技术进步的能力，实际上会对公司造成潜在的伤害。

　　整体而言，业界对 450mm 晶圆进程自开始就有不同的看法，除了上述厂商的犹豫不决和无暇分心之外，其中最为关键的半导体设备供应商，包括如应用材料、ASML 等也缺乏积极性，理由是 450mm 设备不是简单地把腔体的直径放大，而是要从根本上对于设备做重新设计，因此面临着经费与人力等问题，更多的担心是未来的市场，能否有足够的投资回报率。

　　当时的 ASML 也正在 EUV 光刻机中挣扎，光源效率等问题一直拖后量产的时间表，金钱上的压力使 ASML 率先宣布退出 450mm 合作。虽然有尼康的光刻机支持，但是如果 450mm 整体良率和效率并不能明显提升的线mm 低。

　　所以，关于 450mm 晶圆的声浪看似此起彼伏，但大多数产业链厂商实际上都是雷声大雨点小。

　　如今，工艺制程都发展到了 3nm，却仍未见到 450mm 晶圆的身影，甚至都没看到行业厂商在 450mm 晶圆上的规划。

　　商人往往是无利不起早的，既然 450mm 能够降低 Die 的成本，那大家为啥不积极布局呢?

　　18 英寸晶圆已经被证明是一个 海市蜃楼 ，在业界放弃这个想法之前，已经做了大量的开发工作，成本问题成为企业纷纷退出的关键因素。

　　晶圆代纪迁移的成本是巨大的。据推算，从 150mm 到 200mm 花了大约 6 年，花费将近 15 亿美金;而从 200mm 到 300mm 则花了近 10 年时间，投入了 116 亿美金，成本几乎上涨了近 8 倍。而要进化到 450mm，将耗费设备商们超过 1000 亿美元的巨额研发成本。

　　同时，设备成本和时间成本减缓了晶圆尺寸迈向 18 英寸的脚步。虽然 450mm 晶圆的面积是 300mm 的 2 倍多，但生产时间上要远大于 2 倍时长。

　　SEMI 曾预测每个 450mm 晶圆厂将耗资 100 亿美元 , 但单位面积芯片成本只下降 8%。高额的金钱上的压力，以及并不显著的良率和效率的提升，使得行业减缓了向 450mm 迈进的步伐。

　　然而资金问题并不是 450mm 项目面临的唯一难题。450mm 规格转换的时间点，与节点制程与 EUV 光刻技术升级的时间点相互撞车则是另外一个不确定负面因素。

　　且不说是否有合适的经济模型来模拟 450mm 的各种设备成本增加，以及各种生产效率和使用率，每一步的良率都是极其不可预测的变量。

　　从原理来看，晶圆是由硅锭加工而成的，通过专门的工艺可以在硅晶片上刻蚀出数以百万计的晶体管，被大范围的应用于集成电路的制造。

　　假设晶圆本身工艺没问题且同种芯片的良率稳定，那么晶圆直径越大，晶圆利用率就越高，可产出的芯片数就越多，每个芯片的成本也就越低。这也是晶圆厂向更大直径晶圆制造技术发展的原因。

　　但实际中，晶圆尺寸越大，对微电子工艺、设备、材料的要求也就越高。因为约 75% 的硅晶片采用直拉法进行生产，在结晶过程中，直径越大，可能由于旋转速度不稳定导致晶格结构缺陷的可能性越大。

　　同时，晶圆直径越大就从另一方面代表着重量越大，边缘处就更容易出现翘曲的情况。因此，晶圆越大，良品率越低，晶圆单位面积成本越高。

　　因此，通过增大晶圆尺寸降低的成本不能弥补大直径导致晶圆不良率增加成本的时候，选用更大尺寸的晶圆进行生产就变得不经济。

　　从行业规律来看，向更大晶圆尺寸进军，给较小的市场玩家设置了进入壁垒。从芯片制造厂商方面看，大约有 130 家企业具有 150mm 晶圆厂，而拥有 200mm 晶圆厂的公司不到 90 家，拥有 300mm 晶圆厂的公司只有 24 家。

　　因为 450mm 晶圆涉及到整个产业链上下游的巨大变化，总投入是千亿美元量级的，半导体业界再也没一家公司能够独家制订标准和承担风险。知乎博主 老狼 曾表示，如果投入一个 450mm 的 FAB, 成本将超过 100 亿美金，只有少数公司能承担得起一座 450mm 工厂，这将带来更大的两极分化现象。

　　总的来看，迁移到新的晶圆尺寸平台需要半导体供应链的上下游合作，会牵涉到整个产业链的资源调配，研发以及一体化行动，几乎所有工具都要重新研发、投产和试运行。

　　类似地，设备市场也慢慢变得集中，前 10 家供应商所占据的市场占有率已经从 90 年代的 60% 增长到了 2000 年代的 75% 以上。为维持芯片成本下降和行业持续增长，晶圆尺寸增大与利益相关者之间的垂直合作至关重要。

　　目前在 18 英寸晶圆产线发展上除了资金和技术的双重压力，导致晶圆厂向 18 英寸晶圆产线转进速度急剧放缓的原因还在于设备厂商的意愿。

　　18 英寸的工作与过去的晶圆尺寸转换不同，在 150mm 时，英特尔是领导转型并支付大量工作费用的公司，而在 200mm 时则是 IBM。在 300mm 时，设备公司承担了很多成本，他们要很久才能收回投资。

　　而 450mm 的成本再次被推到设备公司身上，他们非常不愿意接受这样的一种情况。2014 年，英特尔因利用率低，42 号晶圆厂闲置，因此将资源从 18 英寸撤下，台积电也在 18 英寸上退让，设备公司暂停开发工作，18 英寸晶圆就此 死亡 。

　　最初 ASML 的研发计划包括 450mm 晶圆光刻系统和 EUV 光刻机系统，在发现 450mm 晶圆的道路上行不通后，ASML 于 2013 年 11 月决定暂停 450mm 光刻系统的开发，直到看到客户及市场在这一领域有明确的需求。

　　当前，ASML 试图生产足够的 EUV 系统并将 High NA 设备投入生产。12 英寸的 High NA EUV 系统已经很庞大难以运输，制造更大的 18 英寸版本将是前所未有的工程挑战。

　　此外，为维持更大晶圆的均匀性、生产性和良品率，18 英寸产线对晶圆传送工具、单片加工设施、精密切割设备及 CMP 等设备提出了更高的精准度要求，要产生更大的成本。加工更大晶圆和更小的容差的设备变得更昂贵。

　　随着晶圆尺寸的增大，对于系统的集成、系统的自动化、材料的特别的条件及整体功耗等都对设备制造商提出更高的要求。

　　可以预见，芯片制造商和设备制造商需要共同努力实现技术进步，这样才可以应对先进的小型化和晶圆尺寸增长所带来的更大难题。只有使得芯片制造商与设备制造商同时实现双赢，才能持续推动半导体产业的健康发展。同样设备制造商需要投资较之前比例更多的研发费用，才能实现 450mm 晶圆苛刻的工艺及技术要求。

　　对整个行业而言，450mm 晶圆尺寸迁移是一个战略决策。但是，晶圆尺寸迁移的有效性会受到供应链上多种行业的动态和交互影响。

　　18 英寸晶圆引进时程趋缓，主要因初期需要大规模投资，由于晶圆尺寸改变，相关设备必须配合变动，不仅需要建设新工厂，设备也要换掉，对晶圆制造厂和设备厂来说负担不小。一旦计划失败恐导致较大影响，使得各家设备大厂频踩煞车。

　　目前半导体行业大多转向活用现有设备，朝微细化先进制程方向进行发展和演进。曾经的希望现在越来越渺茫，目前 450mm 晶圆离我们不但没有变近，反倒更加模糊不清。

　　鉴于当前经济和技术的种种形势，转向 450mm 晶圆的步伐很有一定的概率会继续延缓。一位来自某半导体厂商的高管称，半导体业界绝不会减缓升级节点制程的速度，因为人们一致认为，从节点制程的缩减中所获取的利益，要比采用更大尺寸晶圆所获得的成本利益更为重要。

　　但事物总是要发展的，如今先进制程到了 3nm 甚至 2nm 以后，摩尔定律逐渐失速，不知业界是否会将目光重新聚焦到 450mm 晶圆上来。

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